格芯推出面向下一代移动和5G应用的8SW RF-SOI技术

先进的8SW 300毫米SOI技术，可以为移动4G LTE以及6GHz以下的5G应用开发成本优化、高性能的射频前端模块

加利福尼亚，圣克拉拉, Oct. 09, 2017 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块（FEM）带来显著的性能、集成和面积优势。

格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器（LNA）和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比，该技术可以将功耗降低至70%，实现更高的电压处理能力，并实现同类最佳的开启电阻（Ron）和关闭电容（Coff），从而通过高隔离减少插入损耗，同时借助全铜互连提升功耗处理能力。

"Skyworks继续借助我们全面的专业系统知识，为全球客户提供高度定制的解决方案。" Skyworks先进移动解决方案副总裁兼总经理Joel King 表示，"通过与格芯合作，Skyworks能够尽早使用同类最佳的开关和低噪声放大器技术，从而进一步为下一代移动设备和不断发展的物联网应用推动射频前端技术的发展。"

"我们现在生活在一个智能互联的时代，人们希望并且需要通过无缝、可靠的方式实现随时随地的数据连通。" 格芯射频业务部门高级副总裁Bami Bastani表示，"不过要实现这个目标的难度越来越大，因为前端设备必须能够处理越来越多的频段和射频信号类型，并具备集成数字处理和控制功能。作为射频行业的领军者，我们专门开发了新型8SW工艺，以满足客户最迫切的需求。"

基于300毫米RF-SOI的技术可以为设计人员提供一个成本优化的平台， 实现性能、集成和功耗的最佳组合方案，并拥有强大的数字集成能力。格芯的8SW技术采用了专门的衬底优化方案，能够最大限度增加无源器件的品质因数，减少有源电路的寄生电容，并最小化在千兆频段以下运行的器件相位差异和电压摆幅。该技术可以使优化后的低噪声放大器达到一流的噪声属性以及高特征频率与最高振荡频率，从而帮助目前采用4G频率以及未来采用6GHz以下频率的5G前端模块实现多样的接收和主天线路径低噪声放大器应用。

先进的8SW技术产品在位于纽约州东菲什基尔的300毫米晶圆厂生产线生产，其产能可以较低的成本满足业界预期的市场需求。工艺设计工具包现已发布。

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