灿芯半导体喜获上海市浦东新区科学技术奖

Apr. 17, 2017 – 经企业申报、研发机构联合会推荐、浦东新区科经委资深专家的综合评选，由灿芯半导体作为第一完成单位的《一种基于28nm、40nm工艺的DDR3/DDR4子系统设计》，喜获上海市浦东新区科学技术奖三等奖。科技进步奖的获评，是对灿芯半导体研发水平的大力认可和对灿芯科研人员成果的积极肯定，是属于灿芯半导体整个科研团队的集体荣誉。

该项目是基于中芯国际40纳米和28纳米工艺自主研发的先进DDR解决方案，支持 DDR3、DDR4应用，目前在国内属于最先进的DDR IP技术。随着信息化的发展，市场对DDR尤其是对高端DDR的需求很大，灿芯半导体自主研发的高端DDR，现已多次授权给国内外用户，受到用户的广泛欢迎和好评，国内自主研发DDR能力及国际竞争力的提高，有利于推动集成电路设计领域及信息化的发展，灿芯半导体在推动国产IP发展的同时，也促进了企业自身的发展并树立了在业内的良好口碑。

灿芯半导体将继续秉承"用心做芯"的理念，服务客户；灿芯人将进一步专注科研创新，携手努力、勇攀高峰！

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