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恩智浦首个FD-SOI芯片意味着什么?
Rick Merritt, EETimes, Apr. 18, 2017 –
恩智浦今年使用三星的28nm全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)工艺生产多达五种SoC,其中一种的样品的试制已经进行了6个月。三星预计将在五月份公布其FD-SOI路线图,并正在为其开发RF和内部嵌入式MRAM。
恩智浦的一位执行官在一次活动上展示了该产品的第一个样品,这是FD-SOI漫长旅程中的一个关键的里程碑。下一步是为该工艺找到嵌入式非易失性存储器(Embedded Non-Volatile Memory),因为人们预计嵌入式flash存储器将在14nm处达到极限。
Globalfoundries去年宣布了它们的首个FD-SOI流片,并表示现在有70个客户预定。但一个Globalfoundries高管拒绝透露它们的第一款22nm FD-SOI商业芯片将在何时发布,以及在此过程中完成了多少流片。