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力旺电子NeoFuse硅智财率先于台积公司16奈米FFC制程完成可靠度验证

新竹讯, Feb. 09, 2017 – 

力旺电子今日宣布,其NeoFuse硅智财已成功在台积公司16奈米精简型FinFET(16nm FinFET Compact,16FFC)制程完成可靠度验证。同时,亦已有客户内嵌NeoFuse硅智财于其产品中并完成设计定案(Tape Out)。NeoFuse硅智财具备优异的技术特征,于台积公司16奈米鳍式晶体管(FinFET)制程各世代演进过程中均率先完成可靠度验证,如此快速且完整的全方位布局,展现力旺电子优异的技术开发能力,以及与台积公司稳固的伙伴关系。

16奈米精简型FinFET(16FFC)制程与16奈米强效型FinFET(16FF+)制程相比,具有更符合主流市场需求的成本与低功耗优势,许多产品应用如智能手机、消费电子或穿戴装置等均采用16奈米精简型FinFET制程开发。力旺电子的NeoFuse硅智财不但成功且迅速地布建在广为客户使用的16奈米精简型FinFET制程中,写入时的耐热度更升级至125度,使操作更有弹性,且可支持高阶应用。

除了在16奈米精简版FinFET制程中完成验证外,力旺电子更已经着手在台积公司16奈米FinFET系列中最新的制程平台-「12奈米FinFET」制程开发其NeoFuse硅智财。12奈米FinFET制程是16奈米FinFET系列的第四代,与前几代相比,具备更低漏电特性与成本优势,力旺电子从台积公司的16奈米FinFET第一代到最新的第四代制程平台均布建其NeoFuse硅智财,具备优异之产品竞争力,在市场中稳居领先地位。

力旺电子一直以来与硅智财使用者与晶圆代工伙伴均保持良好且稳固的合作关系,坚持提供给客户最优质、快速、稳定的全方位逻辑非挥发内存硅智财解决方案,使客户产品具备最佳的市场竞争力。

关于力旺电子:

力旺电子(股票代码:3529)成立于2000年8月,专注于逻辑制程嵌入式非挥发性内存硅智财开发。自成立迄今,力旺电子投入研发自有创新技术,开发出NeoBit(一次性与多次性读写编程组件)、NeoFuse(一次性与多次性读写编程组件)、NeoMTP(一千次以上重复读写编程组件)、NeoFlash(一万次以上重复读写编程组件)、NeoEE(十万次以上重复读写编程组件)等领先性产品,并持续发展先进技术,致力于提供客户广泛的硅智财技术服务、非挥发性内存组件与嵌入式内存应用等,为全方位之嵌入式非挥发性内存硅智财供货商。如需取得更多力旺相关资料,请参见官方网站:www.ememory.com.tw.

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